铝碳化硅数控加工机床

铝碳化硅这种高端的陶瓷材料现在被越来越多的人知道，主要还是被用在电子芯片的封装，目前用途逐渐的被开发出来，难点在于铝碳化硅的数控加工上并没有很好的办法，鑫腾辉数控针对这种陶瓷材料的特性专门研制改进了陶瓷数控精雕机，在数控加工铝碳化硅的加工速度上，和数控机床的使用寿命上都有了非常巨大的进步，铝碳化硅数控加工机床陶瓷精雕机厂家联系电话：139-234-13250。

机床特点：

►高强度机床结构，轻松应对各类硬质陶瓷的磨削。

►全密闭分区设计，陶瓷磨削加工区和电器组件区分离，更好清理更好保护机床。

►双层防护，Y轴采用不锈钢防护板以及风琴式防护罩双层设计，有效防范陶瓷粉尘侵扰。

►转角双开门，安全门开启角度更大，方面拿取工件。

机床功能：

自动换刀系统：本机可选装自动换刀系统，该系统具备高速自动换刀功能，换刀速度快且刀库容量大，能够有效提升加工效率，节约人力成本。

24小时不间断运行：TC650陶瓷精雕机系列机床，能够实现24小时连续不间断工作，充分利用每一分钟，满足用户高负荷用机需求。

精密自动对刀：只需一键操作，即可完成刀具的自动对刀，方便快捷。

免编程打孔系统：自主研发的免编程打孔系统可以帮助用户实现“傻瓜式”操作，无需通过CAD/CAM软件编写刀路，同时利用该系统还能实现对陶瓷材料的铣牙。

产品实拍图：

陶瓷精雕机的应用：

      TC650陶瓷精雕机是一款专门针对特种陶瓷精密加工也研发的CNC数控机床。它主要的加工对象就是各类硬脆材料，如：氧化锆、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮化铝、钨钢等等。这些材料目前主要应用于5G通讯、航空航天、石油化工、医疗器械、纺织配件、手机盖板等多个领域。

5G滤波器

      5G滤波器一般是陶瓷介质，因此在生产这类滤波器的过程中就多了一道对陶瓷体的精密加工。这道加工工序离不开CNC机床，TC650陶瓷精雕机针对这道工序专门设计了一套高效快捷的“免编程”控制系统，大幅提升生产效率。

手机盖板

       陶瓷手机盖板是一种以氧化锆为主要成分的陶瓷制品，它的硬度很高，要想对其进行加工就必须有一台合适的机床。TC650陶瓷精雕机系列就是一款非常合适的设备。

结构陶瓷以及钨钢等

       结构陶瓷、功能陶瓷等陶瓷制品的种类繁多，他们的成分也根据产品的性能要求各有不同，加工时也要有不同的工艺，采用TC650陶瓷精雕机您一样可以轻松搞掂。对于“钨钢”这类硬质合金的加工同样可以采用该设备进行精密加工。

联系方式：

东莞市望辉机械有限公司

联系人：许先生

联系电话：139 234 13250

厂址：东莞市大朗镇犀牛陂村瓦窑街35号

网址：www.jdjcnc.com

铝碳化硅及其在电子封装中的应用铝碳化硅AlSiC (有的文献英文缩略语写为SiCp/ Al或Al/SiC、SiC/Al)是一种颗粒增强金属基复合材料，采用Al合金作基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。AlSiC研发较早，理论描述较为完善， 有品种率先实现电子封装材料的规模产业化，满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的“轻薄微小”的发展需求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用射频系统芯片等封装方面作用极为凸现，成 为封装材料应用开发的重要趋势。
  1、封装AlSiC特性

封装金属材料用作支撑和保护半导体芯片的金属 底座与外壳，混合集成电路HIC的基片、底板、外 壳，构成导热性能最好，总耗散功率提高到数十瓦, 全气密封性，坚固牢靠的封装结构，为芯片、HIC提 供一个高可靠稳定的工作环境，具体材料性能是个首 选关键问题。常用于封装的电子金属材料的主要特性

在长期使用中，许多封装尺寸、外形都已标准 化、系列化，存在的主要缺陷是无法适应高性能芯片 封装要求。例如，Kovar ( 一种Fe-Co-Vi合金)和Invar (一种Fe-Ni合金）的CTE低，与芯片材料相近， 但其K值差、密度高、刚度低，无法全面满足电子 封装小型化、高密度、热量易散发的应用需求。合金 是由两种或两种以上的金属元素或金属与非金属元素 所组成的金属材料，具有其综合的优势性能。随之发 展的 M080 Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金 在热传导方面优于Kovar，但其比重大于Kovar，仍不适合用作航空航天所需轻质的器件封装材料。

常用金属封装材料与CaAs芯片的微波器件封装 需求存在性能上的差距，使得研发一种新型轻质金属 封装材料,满足航空航天用器件封装成为急需，引发 相关部门调试重视。经过近些年来的深入研究，AlSiC 取得产业化进展，相继推动高硅铝合金Si/Al实用化 进程，表2示出其主要性能与常用封装材料的对比。将SiC与Al合金按一定比例和工艺结合成AlSiC后，可克服目前金属封装材料的不足，获得高K值、低 CTE、高强度、低密度导电性好的封装材料。

从产业化趋势看，AlSiC可实现低成本的、无需进一步加工的净成形(net-shape )或需少量加工的近净成形制造，还能与高散热材料（金刚石、高热传导石墨等）的经济性并存集成，满足大批量倒装芯片封 装、微波电路模块、光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求，同时也是大功率晶体管、绝缘栅双极晶体管的优选封装材料，提供良好的热循环及可靠性。
  2、封装AlSiC类型

封装金属基复合材料的增强体有数种，SiC是其中应用最为广泛的一种，这是因为它具有优良的热性能，用作颗粒磨料技术成熟，价格相对较低；另一方 面，颗粒增强体材料具有各向同性，最有利于实现净 成形。AlSiC特性主要取决于SiC的体积分数(含量) 及分布和粒度大小，以及Al合金成分。依据两相比例或复合材料的热处理状态，可对材料热物理与力学性能进行设计，从而满足芯片封装多方面的性能要求。其中，SiC体积分数尤为重要，实际应用时，AlSiC与 芯片或陶瓷基体直接接触，要求CTE尽可能匹配，为 此SiC体积百分数vol通常为50%〜75%,表3示出某厂家产业化净成形AlSiC级别的详细情况。

此外，AlSiC可将多种电子封装材料并存集成， 用作封装整体化，发展其他功能及用途。研制成功将高性能、散热快的Cu基封装材料块（Cu-金刚石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC预制件中，通过金属Al 熔渗制作并存集成的封装基片。在AlSiC并存集成过程中，可在最需要的部位设置这些昂贵的快速散热材料，降低成本，扩大生产规模，嵌有快速散热材料的AlSiC倒装片系统正在接受测试和评估。另外，还可并存集成48号合金、Kovar和不锈钢等材料，此类材料或插件、引线、密封环、基片等，在熔渗之前插入SiC预成形件内，在AlSiC复合成形过程中，经济地完成并存集成，方便光电器件封装的激光连接。
采用喷射沉积技术，制备了内部组织均匀、性能优良、Si含量髙达70wt% (重量百分率）的高硅铝合金SiAl封装材料，高硅铝合金CE牌号的性能如表4所示，由于其CTE与Si、GaAs较匹配，也可用于射频、微波电路的封装及航空航天电子系统中，发 展为一种轻质金属封装材料。